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p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  杨军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu Weijie;  Zhao Youwen;  Sun Wenrong;  Duan Manlong;  Dong Zhiyuan;  Yang Jun
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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  董志远;  赵有文;  杨 俊;  段满龙 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张瑞;  张方;  赵有文;  董志远;  杨俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张璠;  赵有文;  董志远;  张瑞;  杨俊
Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1011/306  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, J (Yang Jun);  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Lue, XH (Lue Xiao-Hong);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Yang, J (Yang Jun);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B (Wang Bo);  Zhao YW (Zhao You-Wen);  Dong ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng AH (Deng Ai-Hong);  Miao SS (Miao Shan-Shan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Dept Appl Phys, Chengdu 610065, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王博;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  杨俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨俊;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  王博
Adobe PDF(353Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:838/306  |  提交时间:2010/11/23