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发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马绍栋;  付非亚;  王宇飞;  王海玲;  彭红玲;  郑婉华
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发光二极管封装结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1573/274  |  提交时间：2012/09/09