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基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池; 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池
马绍栋; 付非亚; 王宇飞; 王海玲; 彭红玲; 郑婉华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池,包括:一下电极(10);一光吸收材料层(20),该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上;通过刻蚀技术,在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构;一氧化物绝缘层(30),该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成;一TCO薄膜层(40),该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上;一上图形电极(50),该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上;以及一纳米颗粒(60),该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明,解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题,达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN102163638A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110067715.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23457
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
马绍栋,付非亚,王宇飞,等. 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池, 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池. CN102163638A.
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