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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998 发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1418/232  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996 发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏 Adobe PDF(443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/265  |  提交时间:2010/03/19 |
| 单光路量子效率测试系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990 发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝 Adobe PDF(668Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1420/211  |  提交时间:2010/03/19 |
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬 Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1643/269  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1269/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1617/272  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Cai LE (Cai Li-E); Zhang BP (Zhang Bao-Ping); Hu XL (Hu Xiao-Long); Jiang F (Jiang Fang); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming); Zhang, JY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn; qmwang@semi.ac.cn Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1021/314  |  提交时间:2010/03/08 |