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一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan YF;  Li JB;  Li SS;  Xia JB;  Chen CQ;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn;  cchen@mail.xjtu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Yang, JK;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J;  Wang, RZ;  Lan, W;  Zhang, XW;  Duan, ZQ;  Wang, B;  Yan, H;  Li, J, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100124, Peoples R China. 电子邮箱地址: wrz@bjut.edu.cn
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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hvpe  Gan  Nitridation  Polarity  Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan, YF;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Huo ZQ;  Zeng YP;  Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  段会福;  于芳;  陈陵都;  刘忠立
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