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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Wang JX (Wang Jun-Xi);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Guo LC (Guo Lun-Chun);  Li JM (Li Jin-Min);  Liu, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuzhe@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李亮;  王欣;  刘宇;  黄亨沛;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张欣;  陈伟;  刘宇;  王欣;  谢亮;  祝宁华;  冯博学
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张欣;  张韬;  陈伟;  刘宇;  王欣;  谢亮;  祝宁华;  冯博学
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张心强;  张维佳;  武美伶;  贾士亮;  刘浩;  李国华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯广辉;  温继敏;  黄亨沛;  王欣;  刘宇;  谢亮;  祝宁华
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