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| 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯文; 潘教青 ; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩
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| 光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆
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| 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 潘教青 ; 赵谦; 王圩; 朱洪亮
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| 激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆; 王鲁峰; 边静
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| 半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨华; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩
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| 一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮
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| 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 朱洪亮; 李宝霞; 张靖; 王圩
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