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| 一种新型键合用晶向对准装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈良惠; 郑婉华; 杨国华; 何国荣; 王玉平; 曹青; 郭良; 林学春
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| 光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆
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| 一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈良惠; 郑婉华; 杨国华; 何国荣; 王玉平; 曹青; 郭良; 林学春
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| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 聚光太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 王晓晖; 梁平; 陆大成
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| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平
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| 激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆; 王鲁峰; 边静
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| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平
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| 一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮
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