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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Wang ZG;  Chen YH;  Cui CX;  Xu B;  Jin P;  Li RY;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RY;  Wang W;  Zhou F;  Bian J;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Jian SS;  Zhang, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ryzhang@red.semi.ac.cn;  wwang@red.semi.ac.cn
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1.5μm n 型调制掺杂量子阱材料和相关器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  张瑞英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JC;  Cao SX;  Zhang RY;  Yu LM;  Jing C;  Zhang, JC, Shanghai Univ, Ctr Nanosci & Technol, Dept Phys, Shangda Rd 99, Shanghai 200436, Peoples R China. 电子邮箱地址: jczhang@mail.shu.edu.cn
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：865/241  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  朱洪亮;  张瑞英;  丁颖;  赵玲娟;  周帆;  田慧良
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