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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
江德生 [1]
文献类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
1999 [7]
语种
英语 [7]
出处
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
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PHYSICA ST... [1]
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共7条,第1-7条
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发表日期:1999
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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65
70
75
80
85
90
95
100
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
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Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 211 (1), THESSALONIKI, GREECE, AUG 09-13, 1998
作者:
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Liu NZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Absorption-edge
Strains
Zns
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期刊论文
作者:
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Liu NZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ho WY
;
Fong WK
;
Surya C
;
Tong KY
;
Lu LW
;
Ge WK
;
Ho WY,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect Engn,Hong Kong,Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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浏览/下载:581/0
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong MY
;
Wang XL
;
Pan D
;
Zeng YP
;
Wang J
;
Ge WK
;
Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu ZD
;
Xu JZ
;
Zheng BZ
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Xu ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:835/273
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu ZY
;
Wang J
;
Wang Y
;
Ge WK
;
Li Q
;
Li SS
;
Henini M
;
Xu ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:888/325
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun BQ
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Wang YQ
;
Jiang DS
;
Zhu HJ
;
Wang HL
;
Deng YM
;
Feng SL
;
Wang JN,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Hong Kong,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12