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| 宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 赵玲娟 Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1104/218  |  提交时间:2010/03/19 |
| 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1280/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(751Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1102/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李宝霞; 张靖; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱自组织量子点材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240354.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1290/205  |  提交时间:2011/08/31 |
| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1385/227  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25 发明人: 姬小利; 郭金霞; 马平; 马骏; 魏同波; 伊晓燕; 王军喜; 杨富华; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1173/113  |  提交时间:2014/11/17 |
| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭 Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:668/30  |  提交时间:2016/09/28 |
| 硅基宽光谱探测器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 刘智; 成步文; 何超; 李传波; 薛春来; 王启明 Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:676/5  |  提交时间:2016/09/12 |