制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-01-12
申请号CN201510012713.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27617
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨涛,高凤,罗帅,等. 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法.
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制作宽光谱砷化铟-磷化铟量子点激光器有源(531KB) 限制开放使用许可请求全文
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