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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [7]
作者
薛春来 [1]
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语种:英语
文献类型:会议论文
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Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer
会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
作者:
Cheng BW
;
Xue HY
;
Hu D
;
Han GQ
;
Zeng YG
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Luo LP
;
Zuo YH
;
Wang QM
;
Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1620/312
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提交时间:2010/03/09
Sige/si(100) Epitaxial-films
1.55-mu m resonant cavity enhanced photodiode based on MBE grown Ge quantum dots
会议论文
THIN SOLID FILMS, Awaji Isl, JAPAN, MAY 23-26, 2005
作者:
Yu, J
;
Kasper, E
;
Oehme, M
;
Kasper, E, Univ Stuttgart, Inst Halbleitertech, Pfaffenwaldring 47, D-70569 Stuttgart, Germany. 电子邮箱地址: kasper@iht.uni-stuttgart.de
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浏览/下载:1329/238
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提交时间:2010/03/29
Sige
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Deng X
;
Wang W
;
Han S
;
Povolny H
;
Du W
;
Liao X
;
Xiang X
;
Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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浏览/下载:1844/419
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
SiGe/Si quantum well resonant-cavity-enhanced photodetector
会议论文
TERAHERTZ AND GIGAHERTZ ELECTRONICS AND PHOTONICS II, 4111, SAN DIEGO, CA, JUL 31-AUG 02, 2000
作者:
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Zhu JL
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li C Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1889/274
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提交时间:2010/10/29
Rce Photodetector
Sige/si
Simox
Bragg Reflector
In situ annealing during the growth of relaxed SiGe
会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition
Sige
Refractive High Energy Electron Diffraction
Tansmission Electron Microscopy
Double Crystal X-ray Diffraction
Mobility 2-dimensional Electron
Critical Thickness
Strained Layers
Ge
Relaxation
Epilayers
Si1-xgex
Gesi/si
Gases
Si-based resonant-cavity-enhanced photodetector
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Wang QM
;
Li C
;
Cheng BW
;
Yang QQ
;
Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1635/208
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提交时间:2010/11/15
Rce Photodetector
Sige/si
Simox
Bragg Reflector
Top-illumination
Bottom-illumination
Responsivity Spectra