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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JR;  Hu M;  Wang XD;  Li GK;  Ji A;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan YM;  Zhang XW;  You JB;  Tan HR;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang M;  Chang K;  Chan KS;  Wang M Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG;  Cai F;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci A35 Qinghua Donglu Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
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