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一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 4005
发明人:  魏同波
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光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
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GaN基气体传感器制备及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  冯春
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纤锌矿结构GaN光学各向异性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  郝国栋
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高性能GaN基雪崩光电二极管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  刘文宝
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高频大功率GaN基HEMT结构材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  唐健
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GaN/AlN多量子阱MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  马志芳
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与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  卢国军
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Si(111)衬底上GaN薄膜的生长及应变调控研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  吴玉新
Adobe PDF(3194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:857/50  |  提交时间:2009/04/13