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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin, GQ
;
Zeng, YP
;
Wang, XL
;
Liu, HX
;
Lin, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lingq@semi.ac.cn
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浏览/下载:1209/276
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
;
Guo, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lcguo@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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浏览/下载:2224/910
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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浏览/下载:1292/471
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1849/433
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Wu CM
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, 422 SiMing Rd S, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn
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浏览/下载:1259/368
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
;
Cui, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ypzeng@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:804/217
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Kang, TT
;
Hu, WG
;
Yang, SY
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
;
Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:819/167
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(222Kb)
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浏览/下载:2121/451
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility