×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2006 [7]
语种
英语 [7]
出处
JOURNAL OF... [3]
Internatio... [1]
MATERIALS ... [1]
Physica St... [1]
Ultrafast ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
其他 [3]
CPCI(ISTP) [1]
资助机构
Int Union ... [3]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
发表日期:2006
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Zeng, YX (Zeng, Yuxin)
;
Liu, W (Liu, Wei)
;
Yang, FH (Yang, Fuhua)
;
Xu, P (Xu, Ping)
;
Tan, PH (Tan, Pingheng)
;
Zheng, HZ (Zheng, Houzhi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Xing, YJ (Xing, Yingjie)
;
Yu, DP (Yu, Dapeng)
;
Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(561Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1717/264
  |  
提交时间:2010/03/29
Inas Quantum Dot
Photoluminescence
Modulation-doped
Field Effect Transistor
Mu-m
Capping Layer
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
;
Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(325Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1597/372
  |  
提交时间:2010/03/29
Improved Luminescence Efficiency
Temperature
Photoluminescence
Nitrogen
Origin
Diodes
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
Adobe PDF(142Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1527/288
  |  
提交时间:2010/03/29
Defects
Electroabsorption modulated semiconductor optical amplifier monolithically integrated with spot-size converters
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Hou LP
;
Zhu HL
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Bian J
;
Wang W
;
Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(205Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1514/258
  |  
提交时间:2010/03/29
Asymmetric Twin Waveguide
Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
;
Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
Adobe PDF(219Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3194/1041
  |  
提交时间:2010/03/29
Computer Simulation
High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhang, J
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(153Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1493/345
  |  
提交时间:2010/03/29
Selective Area Growth
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(305Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1839/401
  |  
提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation