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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Z;  Niu ZC;  Fang ZD;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang Y;  Xu YH;  Zhao DG;  Fang, JX;  Fang, JX, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, State Key Labs Transducer Technol, Yutian Rd 500, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxfang@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu XF;  Wang ZG;  Zhu, XF, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Low Dimens Nanostruct, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: xianfangzhu@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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Encapsulated Czochralski Inp  Semiconductor Compound-crystals  Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Deep-level Defects  Annealing Ambient  Point-defects  Fe  Phosphide  Donors  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang Y;  Wang H;  Sun Q;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu ZP(朱占平);  Wang Xiaofeng;  Zeng Yiping;  Wang Baoqiang;  Zhu Zhanping;  Du Xiaoqing;  Li Min;  Chang Benkang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋淑芳;  陈维德;  张春光;  卞留芳;  许振嘉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Junqi;  Lu Xiuzhen;  Guo Yu;  Huang Xiuqi;  Che Xiaoling;  Lei Wen;  Liu Fengqi
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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