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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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陈良惠 [9]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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85
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95
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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期刊影响因子降序
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题名降序
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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
谈笑天
;
郑厚植
;
刘 剑
;
杨富华
Adobe PDF(316Kb)
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浏览/下载:1680/274
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提交时间:2010/08/12
用于电吸收调制激光器封装用的热沉
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
侯广辉
;
刘宇
;
祝宁华
Adobe PDF(380Kb)
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浏览/下载:1204/219
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提交时间:2009/06/11
变温显微磁光光谱系统
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
谭平恒
;
郑厚植
;
李桂荣
;
章昊
;
姬杨
;
甘华东
;
朱汇
Adobe PDF(636Kb)
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浏览/下载:1117/173
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提交时间:2009/06/11
光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈海波
;
李兆峰
;
陈建军
;
杨富华
;
封松林
;
郑厚植
Adobe PDF(606Kb)
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浏览/下载:1235/168
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提交时间:2009/06/11
利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
朱洪亮
;
侯康平
;
杨华
;
梁松
;
王圩
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浏览/下载:1176/174
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提交时间:2009/06/11
光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李桂荣
;
郑厚植
;
杨富华
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浏览/下载:916/144
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, NH (Zhu, Ning Hua)
;
Hou, GH (Hou, Guang Hui)
;
Huang, HP (Huang, Heng Pei)
;
Xu, GZ (Xu, Gui Zhi)
;
Zhang, T (Zhang, Tao)
;
Liu, Y (Liu, Yu)
;
Zhu, HL (Zhu, Hong Liang)
;
Zhao, LJ (Zhao, Ling Juan)
;
Wang, W (Wang, Wei)
;
Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
Adobe PDF(1612Kb)
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浏览/下载:903/256
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提交时间:2010/03/29
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
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浏览/下载:1247/141
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提交时间:2009/06/11
高能电子衍射图像处理系统及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙永伟
;
侯识华
;
宋国峰
;
杨晓杰
;
叶晓军
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浏览/下载:1239/149
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
Adobe PDF(363Kb)
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浏览/下载:1126/184
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提交时间:2009/06/11