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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共31条,第1-10条
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发表日期:2007
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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95
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期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
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用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曹国华
;
秦大山
;
李建平
;
曹峻松
;
曾一平
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浏览/下载:1153/173
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提交时间:2009/06/11
一种集成有光场模斑变换器的波导光开关阵列及其方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈少武
;
李艳萍
;
余金中
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浏览/下载:934/151
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提交时间:2009/06/11
GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘俊岐
;
刘峰奇
;
李路
;
邵烨
;
郭瑜
;
梁平
;
胡颖
;
孙虹
Adobe PDF(769Kb)
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浏览/下载:1221/204
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提交时间:2009/06/11
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
马志勇
;
冉学军
;
王翠敏
;
肖红领
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1535/233
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提交时间:2009/06/11
一种有机材料升华提纯装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曹国华
;
秦大山
;
李建平
;
曹峻松
;
曾一平
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浏览/下载:1261/161
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
李晋闽
;
王军喜
;
王晓亮
;
王启元
;
刘宏新
;
王俊
;
曾一平
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浏览/下载:1297/227
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提交时间:2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
冉军学
;
王晓亮
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
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浏览/下载:1378/197
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen P
;
Tu XG
;
Li SP
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Yu YD
;
Yu, JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:1049/277
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei TB
;
Duan RF
;
Wang JX
;
Li JM
;
Huo ZQ
;
Ma P
;
Liu Z
;
Zeng YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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浏览/下载:1059/329
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan ZG (Yuan Zi-Gang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Yuan, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(452Kb)
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浏览/下载:765/234
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提交时间:2010/03/29