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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  张爽;  赵德刚;  刘文宝;  孙苋;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  段俐宏;  杨辉
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具有复位功能的静态随机存储单元 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201110004548.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  吴利华;  韩小炜;  赵凯;  于芳
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折射率渐变的光子晶体发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人:  赵玲慧;  马平;  甄爱功;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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带有分布反馈光栅和多孔波导量子级联激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:  胡永正;  刘峰奇;  王利军;  张锦川;  赵立华;  王占国
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