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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体超晶格国家重点... [4]
半导体集成技术工程研... [3]
中国科学院半导体研究... [2]
中科院半导体照明研发... [2]
Authors
刘志强 [4]
梁萌 [2]
伊晓燕 [1]
Document Type
Patent [5]
Journal ar... [5]
Thesis [1]
Date Issued
2019 [1]
2018 [3]
2008 [1]
2007 [1]
Language
中文 [4]
Source Publication
APPLIED PH... [1]
CHINESE CH... [1]
Journal of... [1]
光电子·激光 [1]
半导体学报 [1]
Funding Project
Indexed By
SCI [3]
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无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Qi Hu
;
Zhiqiang Fan
;
Anping Huang
;
Xinjiang Zhang
;
Rumeng Zhao
;
Qin Gao
;
Yuhang Ji
;
Wenzhen Dou
;
Mei Wang
;
Hongliang Shi
;
Zhisong Xiao
;
Xiangwei Jiang
;
Paul K. Chu
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Submit date:2020/07/30
二维半导体材料肖特基势垒场效应晶体管的设计研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
Authors:
范志强
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Submit date:2018/01/30
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Jixuan Wu
;
Zhiqiang Fan
;
Jiezhi Chen
;
Xiangwei Jiang
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Submit date:2019/11/18
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Yuqing Liu
;
Marco Santella
;
Zhiqiang Fan
;
Xintai Wang
;
Xiangwei Jiang
;
Mogens Brøndsted Nielsen
;
Kasper Nørgaard
;
Bo W. Laursen
;
Jingbo Li
;
Zhongming Wei
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Submit date:2019/11/18
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
郭德博
;
梁萌
;
范曼宁
;
刘志强
;
王良臣
;
王国宏
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Submit date:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
郭德博
;
梁萌
;
范曼宁
;
师宏伟
;
刘志强
;
王国宏
;
王良臣
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Submit date:2010/11/23
高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:
黄亚军
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
;
季安
;
王军喜
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Submit date:2011/08/31
一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:
樊晶美
;
王良臣
;
刘志强
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Submit date:2011/08/31
GaN基发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
Inventors:
黄亚军
;
王莉
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
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Submit date:2014/12/25
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:
贾利芳
;
何志
;
刘志强
;
李迪
;
樊中朝
;
程哲
;
梁亚楠
;
王晓东
;
杨富华
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Submit date:2016/08/30