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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qi Hu;   Zhiqiang Fan;   Anping Huang;   Xinjiang Zhang;   Rumeng Zhao;   Qin Gao;   Yuhang Ji;   Wenzhen Dou;   Mei Wang;   Hongliang Shi;   Zhisong Xiao;   Xiangwei Jiang;   Paul K. Chu
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二维半导体材料肖特基势垒场效应晶体管的设计研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
作者:  范志强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jixuan Wu ;  Zhiqiang Fan ;   Jiezhi Chen;   Xiangwei Jiang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yuqing Liu;   Marco Santella ;   Zhiqiang Fan ;   Xintai Wang ;   Xiangwei Jiang ;  Mogens Brøndsted Nielsen ;   Kasper Nørgaard ;   Bo W. Laursen ;   Jingbo Li ;  Zhongming Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  刘志强;  王良臣;  王国宏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  师宏伟;  刘志强;  王国宏;  王良臣
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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  樊晶美;  王良臣;  刘志强
Adobe PDF(609Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1231/198  |  提交时间：2011/08/31
GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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