| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 | |
樊晶美; 王良臣; 刘志强
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法，使用选择性合金电镀方法制备垂直结构发光二极管，利用光阻材料在P型氮化镓面跑道内进行填充，使用选择性电镀工艺制备镍钨合金支撑衬底，利用激光剥离蓝宝石衬底，得到垂直结构发光二极管。本发明使用电镀镍钨合金的方法制备垂直结构发光二极管中的支撑衬底，从而改变了蓝宝石衬底较差的导电和散热性能对发光二极管电学以及光学性能的影响，同时减小了衬底与氮化镓之间的热失配度的差别。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200910081093.4 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081093.4 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22399 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 樊晶美,王良臣,刘志强. 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法. CN200910081093.4. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081093.4.pdf（609KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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