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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ShiYan;  Zhou XuLiang;  Kong XiangTing;  Li MengKe;  Mi JunPing;  Bian Jing;  Wang Wei;  Pan JiaoQing
Adobe PDF(1238Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：293/0  |  提交时间：2016/03/23