已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 用于早期急性心梗预警的延长栅型GaAs HEMT生物传感器在miRNA检测中的研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 赵晨峰 Adobe PDF(4639Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:274/4  |  提交时间:2022/07/15 |
| 用于急性心肌梗死标志物检测的GaAs HEMT 生物传感器的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2018 作者: 罗佳明 Adobe PDF(3068Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:591/17  |  提交时间:2018/05/23 砷化镓高电子迁移率晶体管 生物传感器 心肌肌钙蛋白 微小核糖核酸 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 孔祥挺 Adobe PDF(15211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:606/39  |  提交时间:2017/06/05 Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李士颜 Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:725/63  |  提交时间:2016/06/02 高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 用于重金属铅离子检测的HEMT基生物传感器 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 牛吉强 Adobe PDF(2787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:541/24  |  提交时间:2016/06/03 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 洪文婷 Adobe PDF(4143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:351/11  |  提交时间:2015/06/02 |
| 锑化物异质结构的材料生长及性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2014 作者: 张雨溦 Adobe PDF(5041Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1223/62  |  提交时间:2014/11/18 |
| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:616/53  |  提交时间:2014/12/25 |