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聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  梁松;  边静;  安心;  王伟;  周代兵
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异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
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砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  梁德春;  李新坤;  金鹏;  王占国
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用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427108A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李新坤;  金鹏;  王占国
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制备石墨烯-金属纳米颗粒复合材料的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-10, 2013-04-10
发明人:  张兴旺;  刘鑫;  尹志岗;  高红丽
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N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  楚新波;  关敏;  曾一平;  王宝强;  朱战平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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一种双维度上克服衍射极限的等离子体激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-22
发明人:  郑婉华;  付非亚;  王宇飞;  晏新宇;  周文君;  陈微
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一种等离子体耦合模式激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-12
发明人:  郑婉华;  付非亚;  王宇飞;  晏新宇;  周文君;  陈微
Adobe PDF(1034Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:653/70  |  提交时间:2014/10/28