| 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法; 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法 | |
| 李新坤; 金鹏; 王占国 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构,该倒装焊结构包括：一金属热沉；一导热绝缘层,该导热绝缘层制作在金属热沉上；一金属图形层,该金属图形层制作在导热绝缘层的表面,该金属图形层具有两个或两个以上分区；一半导体器件芯片,该半导体器件芯片焊接在金属图形层上,该半导体器件芯片具有两个或两个以上电流注入区。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN102427108A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110361688.2 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23470 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李新坤,金鹏,王占国. 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法, 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法. CN102427108A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作（630KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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