| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管; 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 |
| 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管和啁啾结构砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管。以上六种超辐射发光二极管具有波长短、功率大、光谱宽等特点。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102136534A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110041984.4
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23492
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
梁德春,李新坤,金鹏,等. 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管, 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管. CN102136534A.
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