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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 张连; 曾建平; 魏同波; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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| 一种可调控能带的LED量子阱结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人: 张连; 曾建平; 路红喜; 王军喜; 李晋闽
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| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠; 张连; 宋昌斌; 姚然; 薛斌; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人: 马骏; 汪炼成; 张逸韵; 伊晓燕; 王国宏
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| 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人: 马骏; 汪炼成; 张逸韵; 伊晓燕; 王国宏
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| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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