| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 |
| 张连; 丁凯 ; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区、宽禁带势垒层和p型层，形成外延片；步骤3：在外延片上面的一侧进行刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面，形成一台面；步骤4：在该台面上制备一n电极；步骤5：在p型层的上面，制备一p电极。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010119349.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010119349.9
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22153
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张连,丁凯,王军喜,等. 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法. CN201010119349.9.
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