| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED; 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED |
| 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括：一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102214753A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110147591.1
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23513
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张逸韵,汪炼成,郭恩卿,等. 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED. CN102214753A.
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