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氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:  彭文博;  曾湘波;  刘石勇;  姚文杰;  谢小兵;  肖海波;  杨萍;  王超;  俞育德
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基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  司朝伟;  韩国威;  宁瑾;  刘晓东
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采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  司朝伟;  韩国威;  宁瑾;  刘晓东
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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