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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XN (Xu Xiao-Na);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Li YQ (Li Yue-Qiang);  Chen YL (Chen Yan-Ling);  Ji A (Ji An);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, R;  Wang, XD;  Liu, W;  Xu, XN;  Li, YQ;  Ji, A;  Yang, FH;  Li, JM
Adobe PDF(1245Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：891/248  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu W;  Wang XD;  Li YQ;  Geng ZX;  Yang FH;  Li JM;  Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. xdwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1050Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1989/807  |  提交时间：2011/07/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YQ (Li Yueqiang);  Wang XD (Wang Xiaodong);  Xu XN (Xu Xiaona);  Liu W (Liu Wen);  Chen YL (Chen Yanling);  Yang FH (Yang Fuhua);  Tan PH (Tan Pingheng);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li, YQ, Chinese AcadSci, InstSemicond, Engn Res CtrSemicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xdwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(975Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1302/397  |  提交时间：2010/11/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han Y;  Li WY;  Cao LX;  Wang XY;  Xu B;  Zhao BR;  Guo YQ;  Yang JL;  Han, Y, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Natl Lab Superconduct, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: lxcao@aphy.iphy.ac.cn
Adobe PDF(1471Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1448/353  |  提交时间：2010/04/13
高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1269/236  |  提交时间：2011/08/31
对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1610/277  |  提交时间：2011/08/31
利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  徐晓娜;  李越强;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1342/262  |  提交时间：2011/08/31
一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人:  李越强;  王晓东;  徐晓娜;  刘雯;  陈燕玲;  杨富华
Adobe PDF(572Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1566/357  |  提交时间：2012/09/07