| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 |
| 徐晓娜 ; 李越强; 王晓东; 杨富华
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在晶片表面涂布抗蚀剂；步骤2：采用飞秒激光直写技术，在抗蚀剂表面形成图形；步骤3：采用电子束蒸发技术，在图形的表面蒸发金属，使金属附着于图形的上面，同时该金属还附着于剩余抗蚀剂的上面；步骤4：剥离晶片表面涂布的抗蚀剂，并同时剥离掉抗蚀剂上面的金属，得到金属-半导体接触电极。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
|
| 专利号 | CN201010283562.3
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201010283562.3
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22349
|
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
徐晓娜,李越强,王晓东,等. 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法. CN201010283562.3.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论