| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 |
| 李越强; 刘雯 ; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN200910091632.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910091632.2
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22383
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李越强,刘雯,王晓东,等. 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法. CN200910091632.2.
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