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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 王大拯; 王翠鸾; 仲莉; 韩淋; 崇峰; 史慧玲; 王冠; 胡理科; 刘素平; 马骁宇
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 一种半导体的掺杂技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1991-11-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李秀琼; 王培大; 马祥彬; 孙惠玲; 王纯
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| 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 张兴旺 ; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 黄永光
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| 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113777.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟
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| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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