| 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 |
| 朱洪亮; 朱小宁 ; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010113777.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010113777.0
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22223
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
朱洪亮,朱小宁,刘德伟,等. 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法. CN201010113777.0.
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