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| 与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 毛陆虹; 李伟; 陈弘达; 高鹏; 孙增辉; 陈永权
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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
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| 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 倪海桥; 丁颖; 徐应强; 李密锋; 喻颖; 査国伟; 徐建新; 牛智川
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| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯 ; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 徐晓娜; 李越强; 王晓东; 杨富华
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| 冷却小通道热沉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 井红旗; 仲莉; 倪羽茜; 张俊杰; 刘素平; 马骁宇
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| 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 张立春; 王国伟; 张宇; 徐应强; 倪海桥; 牛智川
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| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人: 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华
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