中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
基于钙钛矿的阵列光电器件及其动力学过程研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  黄志涛
Adobe PDF(6360Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：773/0  |  提交时间：2023/07/04
氧化镓肖特基二极管模拟及材料表征分析 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  李志鹏
Adobe PDF(22831Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：410/0  |  提交时间：2021/06/21
Si 衬底上 InGaN 太阳能电池基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  李志东
Adobe PDF(2800Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1059/38  |  提交时间：2013/06/24
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YC (Peng Ying-Cai);  Fan ZD (Fan Zhi-Dong);  Bai ZH (Bai Zhen-Hua);  Ma L (Ma Lei);  Peng, YC, Hebei Univ, Coll Elect & Informat Engn, Baoding 071002, Peoples R China. E-mail Address: ycpeng2002@163.com
Adobe PDF(1405Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：832/187  |  提交时间：2010/04/21
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1225/201  |  提交时间：2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1173/183  |  提交时间：2012/09/09
利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1241/204  |  提交时间：2011/08/31
一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  高红丽;  谭海仁;  尹志岗;  吴金良
Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1336/222  |  提交时间：2012/09/09
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1636/254  |  提交时间：2011/08/31
制作ZnO基异质结发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183370.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张曙光;  尹志岗;  张兴旺;  游经碧
Adobe PDF(319Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1262/233  |  提交时间：2011/08/31