| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法; 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 |
| 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法,该方法是在ZnO/AlN界面插入一层Ag纳米颗粒,通过Ag局域态表面等离激元与器件的电致发光相互耦合,提高ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面等离激元共振峰与ZnO近带边发光峰的位置相近,满足共振耦合条件,且粗糙的Ag纳米颗粒的表面有利于等离激元有效耦合成光且能够明显提高光的抽取效率。利用本发明,显著提高了ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102394264A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110373908.3
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23472
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张兴旺,张曙光,尹志岗,等. 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法, 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法. CN102394264A.
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