| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法; 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 | |
| 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法,该方法是在n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的n-ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒,利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的相互耦合作用,来提高n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面等离激元共振峰与ZnO近带边发光峰的位置相近,满足共振耦合条件,且粗糙的Ag纳米颗粒的表面有利于等离激元有效耦合成光且能够明显提高光的抽取效率。利用本发明,显著提高了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102394263A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110373547.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23473 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 尹志岗,张曙光,张兴旺,等. 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法, 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法. CN102394263A. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 增强n-ZnO_AlN_p-GaN发光二（416KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment