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一种高效热调谐共振腔增强型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  成步文;  左玉华;  余金中;  王启明
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高效微机械可调谐共振腔增强型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  成步文;  左玉华;  余金中;  王启明
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大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  王启明
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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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包含硅基高效发光材料的电致发光器件及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao Lei);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: leizhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XX (Wang Xiaoxin);  Liu JF (Liu Jifeng);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangxiaoxin@tsinghua.org.cn;  jfliu01@mit.edu
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Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Wang XX (Wang Xiaoxin);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
SHicon-based resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Cheng BW (Cheng Buwen);  Li CB (Li Chuanbo);  Mao RW (Mao Rongwei);  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chunlai);  Zhang JG (Zhang Jianguo);  Shi WH (Shi Wenhua);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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