Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix
	Wang XX (Wang Xiaoxin); Cheng BW (Cheng Buwen); Yu JZ (Yu Jinzhong); Wang QM (Wang Qiming); Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
	2006
会议名称	3rd International Conference on Group IV Photonics
会议录名称	2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics
页码	158-160
会议日期	SEP 13-15, 2006
会议地点	Ottawa, CANADA
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者	IEEE
ISBN	978-1-4244-0095-9
部门归属	chinese acad sci, inst semicond, state key lab integrated optoelect, beijing 100083, peoples r china
摘要	The interface state recombination effect from the quantum confinement effect in PL signals from the SRO material system was studied. The results show that the larger the size of Si NCs, the more beneficial for the interface state recombination process to surpass the quantum confinement process, in support of Qin's model.
关键词	Porous Silicon
学科领域	光电子学
主办者	IEEE.
收录类别	其他
语种	英语
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9780
专题	中国科学院半导体研究所（2009年前）
通讯作者	Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang XX ,Cheng BW ,Yu JZ ,et al. Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2006:158-160.

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