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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [9]
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专利 [8]
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2011 [1]
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中文 [9]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
郝会颖
;
李伟民
;
曾湘波
;
孔光临
;
廖显伯
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浏览/下载:1211/350
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提交时间:2012/07/17
水汽探测用激光芯片的制造方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
于红艳
;
周旭亮
;
邵永波
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1396/184
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提交时间:2012/09/09
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
宋华平
;
杨安丽
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1434/243
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提交时间:2011/08/31
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
邵永波
;
赵玲娟
;
于红艳
;
潘教青
;
王宝军
;
王圩
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浏览/下载:1266/219
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提交时间:2012/09/09
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
桑玲
;
王俊
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1556/250
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提交时间:2012/09/09
一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
于红艳
;
周旭亮
;
邵永波
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1165/207
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提交时间:2012/09/09
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1206/183
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提交时间:2012/09/09
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1110/163
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提交时间:2012/09/09
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1132/183
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提交时间:2012/09/09