| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法; 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 |
| 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
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; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法,包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层,在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层,完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102162968A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010591447.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23489
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
邵永波,赵玲娟,于红艳,等. 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法, 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法. CN102162968A.
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