| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法; 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 | |
| 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法,包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源,在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源,使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN102191540A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110119981.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23488 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桑玲,王俊,魏鸿源,等. 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法, 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法. CN102191540A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳（288KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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