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| 基于Al-Sc触点MEMS开关的移相器研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 张永康
 Adobe PDF(5185Kb) |  收藏 | 浏览/下载：247/0 | 提交时间：2023/07/03 |
| 硅基杂质原子晶体管中电子输运行为的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 张晓迪
Adobe PDF(8819Kb) | 收藏 | 浏览/下载：237/2 | 提交时间：2022/07/26 |
| 高性能MEMS加速度计的研究与制备 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 张萌
Adobe PDF(5845Kb) | 收藏 | 浏览/下载：578/6 | 提交时间：2020/08/31 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
Adobe PDF(531Kb) | 收藏 | 浏览/下载：3233/1392 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 唐海马; 郑中山; 张恩霞; 于芳 ; 李宁; 王宁娟; 李国花; 马红芝
Adobe PDF(1182Kb) | 收藏 | 浏览/下载：982/259 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang HM; Zheng ZS; Zhang EX; Yu F; Li N; Wang NJ; Li GH; Ma HZ; Zheng, ZS, Univ Jinan, Dept Phys, Jinan 250022, Peoples R China. zszheng513@163.com
Adobe PDF(1182Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1087/289 | 提交时间：2011/07/06 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan; Ji An; Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1693/477 | 提交时间：2010/06/07 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 一种制备硅纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240932.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张仁平; 张杨; 杨富华
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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