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| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong, L.; Wang, H. L.; Bajek, D.; White, S. E.; Forrest, A. F.; Wang, X. L.; Cui, B. F.; Pan, J. Q.; Ding, Y.; Cataluna, M. A.
Adobe PDF(911Kb) | 收藏 | 浏览/下载：432/104 | 提交时间：2015/03/19 |
| 量子点红外激光器和探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 孔金霞
Adobe PDF(7486Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1472/88 | 提交时间：2012/06/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝会颖; 李伟民; 曾湘波; 孔光临; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong DH (Kong D. H.); Zhu HL (Zhu H. L.); Liang S (Liang S.); Zhao XF (Zhao X. F.); Lou CX (Lou C. X.); Wang L (Wang L.); Wang BJ (Wang B. J.); Zhao LJ (Zhao L. J.)
Adobe PDF(1363Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1103/283 | 提交时间：2010/09/20 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱洪亮 ; 许晓冬; 王桓; 孔端花; 梁松; 王宝军; 赵玲娟; 王圩
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏
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