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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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电学测试的汞探针装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:
纪 刚
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
刘兴昉
;
赵永梅
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:2011/331
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提交时间:2010/08/12
减小温度梯度的激光晶体
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:
李晋闽
;
林学春
;
熊 波
;
侯 玮
;
郭 林
;
赵鹏飞
;
韩泽华
;
李瑞贤
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浏览/下载:1773/303
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提交时间:2010/08/12
碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:
赵永梅
;
宁 瑾
;
孙国胜
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1682/272
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提交时间:2010/03/19
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1687/262
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提交时间:2010/03/19
图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
王 亮
;
王 雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1542/242
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提交时间:2010/03/19
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1596/230
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提交时间:2009/06/11
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵超
;
徐波
;
陈涌海
;
金鹏
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
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浏览/下载:1500/218
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, Q
;
Wang, JT
;
Wang, H
;
Jin, RQ
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Smeets, D
;
Vantomme, A
;
Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunqian519@gmail.com
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浏览/下载:1212/278
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
;
Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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浏览/下载:1179/260
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提交时间:2010/03/08