Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 | |
赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉 ; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
| |
| 2008-10-08 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2007-04-05 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN200710065183.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4213 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵永梅,孙国胜,刘兴昉,等. 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法[P]. 2008-10-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200710065183.5.pdf（365KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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